在第二代半导体中，砷化镓（GaAs）被认为目前*成熟的化合物半导体材料之一，与硅（Si） 相比，具有禁带宽（1.42eV）、电子迁移率高（8500 cm²/V·s）、电子饱和漂移速度高、能带结构为直接带隙等特性，常用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等，其相关器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，因此受到通信领域和国防与航空航天领域的重视。

        异丙醇铝不过在自然界中并不存在砷化镓晶体，它属于人工晶体材料的一种，其多晶合成和单晶生长技术的实现都需要依赖于单质砷、镓的物理化学反应。在这个过程中，原材料的纯度越高，就越能显示出材料的本征特性，材料的应用价值也能更好地发挥出来，在半导体领域更是如此，目前用于制备半导体材料砷化镓的单质砷的纯度多为99.9999%（6N）和99.99999%（7N）。

        高纯砷技术方面的高要求，导致全世界只有少数发达国家能够稳定生产高纯砷。不过由于电子信息制造业的飞速发展，砷化镓等材料也受到了利好驱动，因此高纯砷的制备技术正随着砷化镓需求的增加而飞速发展。 如果您想对这方面深入了解的话，在“2021全国高纯粉体与晶体材料创新发展论坛”上， 扬州中天利新材料股份有限公司的技术副总李显坪先生将为我们带来题为《99.99999%(7N)高纯砷制备技术及其砷化镓半导体晶体的应用》的报告。

        除了高纯砷的制备技术外，还会涉及到超纯砷化镓粉体与晶体的制备及其在半导体领域的应用等内容，感兴趣的话就千万不要错过了哦！